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沉淀二氧化硅的隔離羥基和相鄰羥基

雙擊自動滾屏 發布時間:2013/3/22 閱讀:2939次 【字體:

  沉淀二氧化硅表面的隔離羥基和相鄰羥基,在存放過程中,接觸水蒸氣就會改變濃度。其中隔離羥基不變化,說明在生產過程中產生的隔離羥基是穩定的,而相鄰羥基會逐漸增多,這種現象也可用楊格的機理來解釋,即在高溫下形成了某些含有 “內應力”的硅-氧-硅鍵,它可吸水打開而形成更多的相鄰羥基。沉淀二氧化硅在常溫~700℃溫度范圍內加熱不會改變其無定型結構,但大于700℃后比表面積逐漸減小,這表明結構發生了變化,表面熔結,吸附能力相應減小。

  沉淀二氧化硅因工藝、生產方法、要求等各異,其酸堿性也有差別:一般多近中性,但也有微酸性或微堿性。

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